1. 設備用途

本設備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛的條件下進行加壓加熱燒結處理，以便獲得高致密度的產(chǎn)品，例如生產(chǎn)高精度氮化硅陶瓷軸承等。

2. 方案圖

（圖片僅供參考）

3. 主要技術參數(shù)

3.1 電源：三相 380V 50Hz

3.2 額定加熱功率：≤18Kw 單相相加熱

3.3 最高溫度：1900℃ 使用溫度室溫-1850℃

3.4 工作區(qū)尺寸：100*100*100（D*H，mm）

3.5 控溫區(qū)數(shù)：一區(qū)

3.6 控溫方式：鎢錸熱電偶

3.7 控溫精度：±1℃

3.8 冷態(tài)極限真空度：6.67*10-3Pa（空爐、冷態(tài)、烘烤除氣后）

3.9 壓升率：4Pa/h

3.10 充氣氣氛：惰性氣體

3.11 充氣壓力（微正壓）：≤0.03MPa

3.12 最大壓力：5T（數(shù)顯、自動調(diào)壓、自動保壓、伺服電動缸）

3.13 壓頭直徑：Ф40 mm

3.14 壓力波動：≤±100N，位移精度≥0.01mm

3.15 壓力行程：0～100mm（數(shù)顯）

3.16 壓力控制：伺服電動控制（伺服電機控制）

4. 設備構成

5. 結構及功能說