快速退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。
 

　　今天小編給大家講講快速退火爐常見問題及其改進措施：
 

　　1、退火溫度是否達到規定溫度。光亮退火爐一般是采取固溶熱處理，也就是人們平常所謂的“退火”，溫度范圍為1040~1120℃。可以通過退火爐觀察孔觀察，退火區的不銹鋼管應為白熾狀態，但沒出現軟化下垂。
 

　　2、退火氣氛。一般都是采用純氫作為退火氣氛，氣氛純度好是99.99%以上，如果氣氛中另一部分是惰性氣體的話，純度也可以低一點，但是不能含有過多氧氣、水汽。
 

　　3、爐體密封性。光亮退火爐應是封閉的，與外界空氣隔絕;采用氫氣作保護氣的，只有一個排氣口是通的(用來點燃排出的氫氣)。檢查的方法可以用肥皂水抹在退火爐各個接頭縫隙處，看是否跑氣;其中容易跑氣的地方是退火爐進管子的地方和出管子的地方，這個地方的密封圈特別容易磨損，要經常檢查經常換。
 

　　4、保護氣壓力。為了防止出現微漏，爐內保護氣應保持的正壓，如果是氫氣保護氣，一般要求20kBar以上。
 

　　5、爐內水汽。一方面檢查爐體材料是否干燥，初次裝爐，爐體材料要烘干;二是進爐的不銹鋼管是否殘留過多水漬，特別管子上面如果有孔的話，千萬別漏水進去了，要不然就把爐子氣氛全破壞了。 如果沒有出現這幾類問題的話開爐后應該退20米左右的不銹鋼管就會開始發亮，是亮得反光的那種。